高玉琳

发布时间:2017-06-06    作者:

姓名: 高玉琳

职称、职位:副教授、硕导

邮箱:ylgao(AT)xmu.edu.cn

电话:0592-2181681

办公地点:海韵校区物理与机电大楼330

学历:厦门大学理学博士,凝聚态物理专业

研究方向:半导体照明及检测技术

主讲课程:光电检测技术(研究生课)、近代物理实验、大学物理实验

成果奖励:2015年福建省科技进步二等奖“高分辨率全彩LED显示屏技术创新项目”,3/7

  

在研项目:

1、LED全彩屏模组在线自动检测及产业化应用(福建省产学重大项目),2013.-2017.3

2、高亮度LED结温测试的瞬态机理研究(国家青年科学基金),2017.1-2019.12

  

代表作: 

1Lu H L, Lu Y J, Zhu L H*, Lin Y, Guo Z Q, Liu T, Gao Y L *, Chen G L, Chen Z 2017, Efficient Measurement of Thermal Coupling Effects on Multi-chip Light-emitting Diodes IEEE Transactions on Power Electronics (SCI/EI JCR1区,已接受,待发表,DOI 10.1109/TPEL.2017.2653193) 

2Guo Z Q *, Shih T M, Peng Z B, Qiu H H, Lu Y J, Gao Y L * , Zhu LH, Zheng JH, Chen ZOn a relationship among optical power, current density, and junction temperature for InGaN-based light-emitting diodesAIP Advances, 2017, 7:015307 (SCI/EI) 

3Dang S J, Guo Z Q, Huang W L, Gao Y L *, Lu Y J, Lin Y, Shih T M, Zhu L H, Lu H L, Chen Z, A Transmission-Type Testing System for Measuring Optical Characteristics of Phosphors for Remote-Phosphor-Based White LEDs, IEEE Photonics Journal, 2016,8(1): 6600109, (IEEE: SCI/EI)

4Lin S Q, Shih T M, Lu Y J, Gao Y L *, Zhu L H, Chen G L, Wu B Q, Guo Z Q, Zhang J H, Fan X Q, Chang R R, Chen Z *,Determing junction temperature in InGaN light-emitting diodes using low forward currents, IEEE Trans. Electron Devices, 2013,60(11): 3775-3779 (IEEE :SCI/EI)

  

译著:

《太阳能照明》,吕毅军,高玉琳,朱丽虹,陈忠,施天谟译著,机械工业出版社,2014.11

  

专利:

1一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法,朱丽虹,肖华,吕毅军,高玉琳,陈国龙,陈忠,发明专利,申请号:201310196584.X,专利号ZL201310196584.X, 授权日期:2016.07.06

2一种光电探测器绝对光谱响应校准方法及其装置,吕毅军,朱丽虹,陈国龙,高玉琳,陈忠,发明专利,专利号:ZL201210395731.1,申请日:2012.10.17,授权日:2014.09.10

3一种用于多路LED光衰老化测试的夹具,高玉琳,肖菁菁,黄伟林,吕毅军,陈国龙,陈忠,实用新型专利,专利号:ZL 201420651816.6,申请日:2014.11.03,授权日:2015.01.07

4一种焦距可调的LED光源聚光装置,吕毅军,黄伟林,高玉琳,朱丽虹,陈国龙,陈忠,实用新型专利,专利号:ZL 201520079314.5,申请日:2015.2.4,授权日:2015.05.27