朱丽虹

发布时间:2017-06-06    作者:

姓名: 朱丽虹

职称、职位:高级工程师、硕导

邮箱:lhzhu(AT)xmu.edu.cn

电话:0592-2181681

办公地点:物理机电大楼330

学历:博士

闽南师范大学理学学士,物理学专业;

厦门大学工学博士,微电子学与固体电子学专业。

研究方向:

GaN基半导体材料生长和光电器件研究

半导体照明检测技术研究

主讲课程:

工程硕士课程

半导体器件物理

  

成果奖励:省市科技进步奖

1.低功耗高均匀度LED显示屏关键技术及产业化,2014年 福建省科学技术进步奖一等奖,2014年,5/8

2.高分辨率全彩LED显示屏技术创新项目,2015年福建省科学技术进步奖二等奖,7/7

3.高分辨率全彩LED显示屏技术创新项目,2015年厦门市科学技术进步奖等三等奖,5/8

  

在研项目:

1海峡西岸对台产学研合作科技服务平台的构建和运行研究,福建省自然科学基金项目(项目批准号:2016R0091 ),2016/02-2017/08,主持。

2GaNLED材料中极化场调控的研究,国家自然科学基金青年项目,2012.1-2014.12,主持。

  

代表性期刊论文:

1Lu H, Lu Y, Zhu L*, Lin Y, Guo Z, Liu T,  Gao Y, Chen G, Chen Z, Efficient Measurement of Thermal Coupling Effects on Multi-chip Light-emitting Diode, IEEE Transactions on Power Electronics,Issue: 99, 2017, DOI: 10.1109/TPEL. 2017.2653193 (IEEE: SCI/EI)

2Lin Y, Peng Z, Zhu L*, Yan W, Shih T, Wu T, *Lu Y, Evolution of crystal imperfections during current-stress ageing tests of green InGaN light-emitting diodesApplied Physics Express, 2016,9, 092101-1-0921014

3Zeng F, Zhu L*, Liu W, Liu W,  Wang H, Liu B, Study on Optical Properties of Indium-Graded Semipolar InGaN/GaN Quantum Well, IEEE Photonics Journal, 2016, 8(3), 2200413.

4Zeng F, Zhu L*, Liu W, Li X , Liu W, Chen B, Lee Y, Feng Z, Liu B, Carrier localization and phonon-assisted hopping effects in semipolar InGaN/GaN light-emitting dioses grown by selective area epitaxy, Journal of Alloys and Compounds, 2016,656, 881-886.JCR二区, SCI收录, IDS : CW5QH, 2016.01

5Wang H, *Lin Y, Zhu L, Lu Y, Tu Y, Liu Z, Deng Z,Tang W, Gao Y, Chen ZTemperature dependent carrier localization in AlGaInN near-ultraviolet light-emitting diodes, Optics Express, 2016, 24(11), 11594-11600.

6Xiao H, Lu Y, Shih T, Zhu L, Lin S, Pagni P, Chen Z, Improvements on remote diffuser-phosphor-packaged light-emitting diode systems, IEEE Photonics Journal, 6(2)2014, 8200108

  

专利:

1朱丽虹,肖华,吕毅军,高玉琳,陈国龙,陈忠,发明专利,一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法,专利号:ZL 201310196584.X,授权日:2016.07.06

2朱丽虹,卢红丽,吕毅军,林岳,高玉琳,郭自泉,陈国龙,陈忠,发明专利,一种LED多芯片模块中芯片间热偶合及结温分布的测量方法,申请号:201610044556.X,申请日:2016.01.22,公布号:CN105843979A,公布日:2016.08.10

3吕毅军,朱丽虹,陈国龙,高玉琳,陈忠,发明专利,一种光电探测器绝对光谱响应校准方法及其装置,专利号:ZL201210395731.1, 授权日:2014.09.10

4刘宝林, 张玲, 朱丽虹,发明专利,一种光子晶体结构GaNLED的制备方法,专利号:ZL 201410049914.7, 授权日:2016.11.09

5刘宝林, 张玲, 朱丽虹,发明专利,一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法,专利号: ZL201210073692.3, 授权日:2015.01

6刘宝林, 张玲, 朱丽虹,发明专利,一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法,专利号:ZL 20121007322.7, 授权日:2014.09

7刘宝林, 张玲, 朱丽虹,发明专利,一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法,专利号:ZL 201210073365.8, 授权日:2014.08

8吕毅军,林思棋,吴弼卿,姚琦,朱丽虹,陈国龙,高玉琳,陈忠,发明专利,一种发光二极管结温的测量方法,专利号:ZL 201310183485.8,申请日:2013.5.17,授权日:2014.11.12

9吕毅军,肖菁菁,朱丽虹,陈国龙,高玉琳,郭自泉,陈忠,发明专利,一种LED寿命加速在线测试系统,申请号:2015103868504,申请日:2015.07.03,公布号:CN105021968A,公布日:2015.11.04

10吕毅军,黄伟林,卢红丽,朱丽虹,陈国龙,高玉琳,陈忠,发明专利,一种远程荧光粉性能测试装置及测试方法,申请号:201410468862.7,申请日:2014.9.15,公布号:CN104198453A,公布日:2014.12.10

11吕毅军,党思佳,肖瑶,高玉琳,朱丽虹,陈国龙,郭自泉,林岳,陈忠,发明专利,一种通过反射光相对强度测量物体表面温度的装置及方法,申请号:2015109165339,申请日:2015.12.10,公布号:CN105318985A,公布日:2016.2.10

12朱丽虹,黄伟林,肖华,吕毅军,高玉琳,陈国龙,陈忠,实用新型专利,一种远程荧光粉LED灯,专利号:ZL 201420321602.2,申请日:2014.6.16,授权日:2014.10.8

13朱丽虹,肖华,陈国龙,吕毅军,高玉琳,实用新型专利,一种照度可调的光电探测器绝对光谱响应校准装置,专利号:ZL 201420319568.5,申请日:2014.6.16,授权日:2014.11.5

14吕毅军,黄伟林,高玉琳,朱丽虹,陈国龙,陈忠,一种焦距可调的LED光源聚光装置,实用新型专利,专利号:ZL 201520079314.5, 申请日:2015.2.4,授权日:2015.05.27

15吕毅军,纪旭明,吴挺竹,高玉琳,朱丽虹,陈忠,实用新型专利,一种消除AC-LED芯片频闪的电源转化电路,专利号:ZL 2015208047487,申请日:2015.10.16,授权日:2016.01.13