[学术报告]低温超临界流体技术在增进材料与电子器件性能的应用

发布时间:2017-09-07    作者:

报告人:张鼎张教授

单位:台湾中山大学物理系

地点:翔安校区,和木楼A,221报告厅(即能源学院二楼报告厅)

时间:2017年9月9日上午9:30-12:30


报告人简介:

张鼎张,台湾中山大学首席教授,1994年取得交通大学电子所博士,并于台湾纳米器件实验室从事半导体研究工作,1999年任职于中山大学物理系。张教授个人长期致力于先进半导体电子器件研究,多次主持台湾地区纳米科技计划,以及台积电(TSMC)、联电(UMC)、友达光电(AUO)、群创光电(InnoLux)等大型半导体公司的产学合作计划,在先进晶体管器件、存储器件及显示器件等方面做出了众多原创性的发明和突破。除此之外更独创了新兴学科-超临界流体电子学,此技术在学术研究上深具先进性与创新性,在工业应用上亦将颠覆世界半导体工业发展。张教授历年发表SCI期刊论文400余篇,获授权发明专利200余项,其中美国专利49项,完成产学合作和技术转移共计5000余万元新台币;获得台湾“经济部”『产业创新奖』、“经济部”『纳米产业科技精英奖』、“科技部”『杰出研究奖』、“教育部”『产学合作奖』,先进事迹被《真心看台湾》、《发现新台湾》等电視媒体专题报道。


请注意:周六校车(本部到翔安)上午7:45  在克立楼前发车


附件一:廈門大學-中山大學物理系-張鼎張.doc